SLM2110是一款高压、高（gāo）速的功率MOSFET和IGBT驱动器，它提供独立的高边、低边输出驱动信号。采（cǎi）用专有的高压集成电路和锁存免疫CMOS技（jì）术（shù），提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准（zhǔn）CMOS或LSTTL输出兼容（róng），最低支持3.3V逻辑。输出驱（qū）动器具有高脉冲电流缓冲级，以减（jiǎn）小（xiǎo）驱动器交叉（chā）导通。延时匹配很方便应用于高频设备。浮动通（tōng）道可用于驱动高边配置的N型沟道功（gōng）率MOSFET或IGBT，工作电压可高（gāo）达600V。
为自举供电设计的浮（fú）动通（tōng）道
全电压范围运行达600V
允许瞬态负电压，不受dV/dt影响（xiǎng）
驱动电（diàn）源范围从10V到20V
欠（qiàn）压闭锁
3.3V、5V和（hé）15V逻辑（jí）兼（jiān）容（róng）
逻辑地和功率地能承受±5V偏置
防止交（jiāo）叉（chā）导通逻辑
输入有（yǒu）下拉电（diàn）阻的（de）COMS斯密特触发（fā）器
逐周期（qī）边缘触发的关闭逻辑
两通道间（jiān）匹配传输延（yán）时（shí）
输入输出同相
典型开通/关断延时：140ns/140ns
典型（xíng）驱动电（diàn）流：1A/1.6A
400 080 9938
